ROHM Semiconductor RT1A040ZPTR

底架

表面贴装

引脚数

8

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

380 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

30MOhm

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1.25W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

11 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

70ns

漏源电压 (Vdss)

12V

极性/通道类型

P-CHANNEL

下降时间（典型值）

70 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

12V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

输入电容

2.35nF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

30mOhm

最大rds

30 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅