ROHM Semiconductor SCT2H12NZGC11

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3PFM, SC-93-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

18V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

35W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 1.1A, 18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 900μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

184pF @ 800V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 18V

漏源电压 (Vdss)

1700V

Vgs（最大值）

+22V, -6V

连续放电电流(ID)

3.7A

阈值电压

2.8V

栅极至源极电压(Vgs)

22V

漏源击穿电压

1.7kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.2A

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

26.5mm

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅