STMicroelectronics BU806

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

200V

最大功率耗散

60W

额定电流

8A

基本部件号

BU806

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

60W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

200V

最大集电极电流

8A

最大集极截止电流

100μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 50mA, 5A

集电极基极电压(VCBO)

400V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

8A

高度

15.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅