STMicroelectronics STB300NH02L

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

138 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.8MOhm

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STB300N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.8m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7055pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

109.4nC @ 10V

上升时间

275ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

94.4 ns

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

24V

双电源电压

24V

栅源电压

2 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅