STMicroelectronics STC5DNF30V

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

最大功率耗散

1.3W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

STC5DNF

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 2.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

600mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.5nC @ 4.5V

上升时间

33ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant