STMicroelectronics STGB18N40LZT4
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STGB18N40LZT4
2381-STGB18N40LZT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 420V 30A 150W D2PAK
--最小包装量--
STGB18N40LZT4详情
STMicroelectronics STGB18N40LZT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
420V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 10A, 5V
Turn Off Delay Time
13.5 μs
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
电压箝位
最大功率耗散
150W
终端形式
鸥翼
基本部件号
STGB18
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
接通延迟时间
650 ns
功率 - 最大
150W
晶体管应用
汽车点火装置
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
360V
最大集电极电流
30A
最大击穿电压
420V
接通时间
4450 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.7V @ 4.5V, 10A
关断时间-标准值(toff)
22200 ns
闸门收费
29nC
集极脉冲电流(Icm)
40A
Td(开/关)@25°C
650ns/13.5μs
栅极-发射极电压-最大值
16V
高度
4.6mm
长度
10.4mm
宽度
9.35mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGB18N40LZT4拓展信息
STMicroelectronics
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