STMicroelectronics STGB30V60F
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STGB30V60F
2381-STGB30V60F
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
--最小包装量--
STGB30V60F详情
STMicroelectronics STGB30V60F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Test Conditions
400V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
260W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGB30
输入类型
Standard
功率 - 最大
260W
集电极发射器电压(VCEO)
2.3V
最大集电极电流
60A
最大击穿电压
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V, 30A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
163nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
45ns/189ns
开关能量
383μJ (on), 233μJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGB30V60F拓展信息
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