STMicroelectronics STGB35N35LZ-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

345V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 15A, 5V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

电压箝位

最大功率耗散

176W

基本部件号

STGB35

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Logic

功率 - 最大

176W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

380V

最大集电极电流

40A

接通时间

7600 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 4.5V, 15A

关断时间-标准值（toff)

37000 ns

闸门收费

49nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

1.1μs/26.5μs

栅极-发射极电压-最大值

12V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant