STMicroelectronics STGB8NC60KDT4

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Test Conditions

390V, 3A, 10 Ω, 15V

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

系列

PowerMESH™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

65W

终端形式

鸥翼

基本部件号

STGB8

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

65W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

15A

反向恢复时间

23.5 ns

最大击穿电压

600V

接通时间

23 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.75V @ 15V, 3A

关断时间-标准值（toff)

242 ns

闸门收费

19nC

集极脉冲电流（Icm）

30A

Td（开/关）@25°C

17ns/72ns

开关能量

55μJ (on), 85μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

宽度

6.2mm

长度

6.6mm

高度

2.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无