STMicroelectronics STGD5NB120SZT4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 5A, 1k Ω, 15V

Turn Off Delay Time

12.1 μs

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

75W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STGD5

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

55W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

690 ns

功率 - 最大

75W

晶体管应用

电源控制

上升时间

170ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

10A

JEDEC-95代码

TO-252AA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

最大击穿电压

1.2kV

接通时间

850 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 5A

连续集电极电流

5A

关断时间-标准值（toff)

14100 ns

Td（开/关）@25°C

690ns/12.1μs

开关能量

2.59mJ (on), 9mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅