STGF19NC60WD
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STMicroelectronics STGF19NC60WD

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型号

STGF19NC60WD

utmel 编号

2381-STGF19NC60WD

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 600V 14A 32W TO220FP

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STGF19NC60WD
STGF19NC60WD STMicroelectronics IGBT 600V 14A 32W TO220FP

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STGF19NC60WD详情

STMicroelectronics STGF19NC60WD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.5V

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    390V, 12A, 10 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PowerMESH™

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 终端

    通孔

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 最大功率耗散

    32W

  • 基本部件号

    STGF19

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    32W

  • 输入类型

    Standard

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 上升时间

    7ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    14A

  • 反向恢复时间

    32 ns

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大击穿电压

    600V

  • 接通时间

    25 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.5V @ 15V, 12A

  • 关断时间-标准值(toff)

    127 ns

  • 闸门收费

    53nC

  • Td(开/关)@25°C

    25ns/90ns

  • 开关能量

    81μJ (on), 125μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.75V

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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