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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥18.921707
10
¥17.850671
100
¥16.840252
500
¥15.887026
1000
¥14.987761
STMicroelectronics STGF19NC60WD
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STGF19NC60WD
2381-STGF19NC60WD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3 Full Pack
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IGBT 600V 14A 32W TO220FP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGF19NC60WD详情
STMicroelectronics STGF19NC60WD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 12A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
通孔
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
32W
基本部件号
STGF19
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
32W
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
上升时间
7ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
14A
反向恢复时间
32 ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大击穿电压
600V
接通时间
25 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 12A
关断时间-标准值(toff)
127 ns
闸门收费
53nC
Td(开/关)@25°C
25ns/90ns
开关能量
81μJ (on), 125μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGF19NC60WD拓展信息
STMicroelectronics
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