STMicroelectronics STGP8NC60K

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 3A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

106 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

65W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STGP8

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

17 ns

功率 - 最大

65W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

15A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

23 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.75V @ 15V, 3A

关断时间-标准值（toff)

242 ns

闸门收费

19nC

集极脉冲电流（Icm）

30A

Td（开/关）@25°C

17ns/72ns

开关能量

55μJ (on), 85μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅