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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥24.962642
10
¥23.549663
100
¥22.216665
500
¥20.959115
1000
¥19.772748
STMicroelectronics STGW20IH125DF
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- 对比
STGW20IH125DF
2381-STGW20IH125DF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 1250V 40A 259W TO-247
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGW20IH125DF详情
STMicroelectronics STGW20IH125DF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
32 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.25kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.55V
Number of Elements
1
Test Conditions
600V, 15A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
259W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGW20
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
259W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.25kV
最大集电极电流
40A
电压 - 集射极击穿(最大值)
1250V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 15A
关断时间-标准值(toff)
285 ns
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
68nC
集极脉冲电流(Icm)
80A
Td(开/关)@25°C
-/106ns
开关能量
410μJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGW20IH125DF拓展信息
STMicroelectronics
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