STMicroelectronics STGW50NC60W

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 40A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

285W

基本部件号

STGW50

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

285W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

接通时间

69 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

343 ns

闸门收费

195nC

Td（开/关）@25°C

52ns/240ns

开关能量

365μJ (on), 560μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

高度

20.15mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant