STGWA19NC60HD
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STMicroelectronics STGWA19NC60HD

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型号

STGWA19NC60HD

utmel 编号

2381-STGWA19NC60HD

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

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STGWA19NC60HD STMicroelectronics Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube

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STGWA19NC60HD详情

STMicroelectronics STGWA19NC60HD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 质量

    6.500007g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.5V

  • Number of Elements

    1

  • Test Conditions

    390V, 12A, 10 Ω, 15V

  • Turn Off Delay Time

    97 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PowerMESH™

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    208W

  • 基本部件号

    STGWA19

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    208W

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 接通延迟时间

    25 ns

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    52A

  • 反向恢复时间

    31 ns

  • 接通时间

    32 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.5V @ 15V, 12A

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 连续集电极电流

    52A

  • 关断时间-标准值(toff)

    272 ns

  • 闸门收费

    53nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    60A

  • Td(开/关)@25°C

    25ns/97ns

  • 开关能量

    85μJ (on), 189μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.75V

  • 高度

    25.54mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STGWA19NC60HD相似的参数规格。

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