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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥31.965275
10
¥30.155918
100
¥28.448983
500
¥26.838658
1000
¥25.319491
STMicroelectronics STGWF30NC60S
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- 对比
STGWF30NC60S
2381-STGWF30NC60S
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3 Full Pack
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin(3 Tab) TO-3PF Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGWF30NC60S详情
STMicroelectronics STGWF30NC60S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 20A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
180 ns
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
79W
基本部件号
STGWF30
引脚数量
2
元素配置
Single
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
接通延迟时间
21.5 ns
功率 - 最大
79W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
35A
接通时间
30 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
555 ns
闸门收费
96nC
集极脉冲电流(Icm)
150A
Td(开/关)@25°C
21.5ns/180ns
开关能量
300μJ (on), 1.28mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGWF30NC60S拓展信息
STMicroelectronics
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