STMicroelectronics STL65DN3LLH5

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 7 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Memory Types

FLASH

Number of Elements

2

Watchdog Timers

有

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ V

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

6.5MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

60W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STL65

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N6

界面

CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USART, USB

内存大小

768kB

元素配置

Dual

内存大小

132kB

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

数据总线宽度

32b

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 9.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

定时器/计数器的数量

14

连续放电电流(ID)

65A

栅极至源极电压(Vgs)

22V

核心架构

ARM

最高频率

120MHz

最大漏极电流 (Abs) (ID)

19A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76A

可编程I/O数

114

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅