STMicroelectronics STS2DPF80

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

250mOhm

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

2.5W

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

-2.3A

基本部件号

STS2D

引脚数量

8

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

739pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

18ns

漏源电压 (Vdss)

80V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

-80V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅