STMicroelectronics STS4DPF30L

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

125 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

80mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS4D

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1350pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 5V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

4A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1.25mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅