STS5DNF60L
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STMicroelectronics STS5DNF60L

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型号

STS5DNF60L

utmel 编号

2381-STS5DNF60L

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R

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STS5DNF60L
STS5DNF60L STMicroelectronics Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R

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STS5DNF60L详情

STMicroelectronics STS5DNF60L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    45 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    低阈值

  • 最大功率耗散

    2W

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 基本部件号

    STS5D

  • 引脚数量

    8

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    2W

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    45m Ω @ 2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1030pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15nC @ 4.5V

  • 上升时间

    28ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 下降时间(典型值)

    10 ns

  • 连续放电电流(ID)

    5A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    15V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.055Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STS5DNF60L相似的参数规格。

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