Texas Instruments CSD17484F4
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CSD17484F4
2502-CSD17484F4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
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MOSFET N-CH 30V 3A 3-PICOSTAR
--最小包装量--
CSD17484F4详情
Texas Instruments CSD17484F4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 8V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
FemtoFET™
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
基本部件号
CSD17484
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
121m Ω @ 500mA, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
195pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.2nC @ 4.5V
上升时间
1ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏极-源极导通最大电阻
0.27Ohm
反馈上限-最大值 (Crss)
2.9 pF
长度
1.035mm
宽度
635μm
器件厚度
200μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD17484F4拓展信息
Texas Instruments
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