Texas Instruments CSD25480F3T

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 8V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FemtoFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD25480

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

132m Ω @ 400mA, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

155pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.91nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

-12V

连续放电电流(ID)

1.7A

阈值电压

-950mV

漏极-源极导通最大电阻

0.26Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

反馈上限-最大值 (Crss)

4.7 pF

长度

690μm

宽度

600μm

器件厚度

345μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅