Texas Instruments CSD75211W1723

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

12-UFBGA, DSBGA

引脚数

12

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

9.1 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e1

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

1.5W

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

CSD75211

引脚数量

12

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

3.7 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.9nC @ 4.5V

上升时间

4.1ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

1.6 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

-700 mV

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅