TPIC1502DW
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Texas Instruments TPIC1502DW

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型号

TPIC1502DW

utmel 编号

2502-TPIC1502DW

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

24-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 20V 1.5A DMOS 24-DW

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TPIC1502DW
TPIC1502DW Texas Instruments MOSFET 20V 1.5A DMOS 24-DW

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TPIC1502DW详情

Texas Instruments TPIC1502DW重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    24-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    11

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    24

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    2.86W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • 基本部件号

    TPIC1502

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G24

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    COMPLEX

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 输出电流

    1.5A

  • 功率 - 最大

    2.86W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    300m Ω @ 1.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    98pF @ 14V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    2.1nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    1.5A

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.005A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.3Ohm

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Texas Instruments TPIC1502DW.

右边的3个型号有着和Texas Instruments & TPIC1502DW相似的参数规格。

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TPIC1502DW拓展信息

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