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1

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10

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100

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500

￥0.889328
1000

￥0.838989

Vishay SI2312CDS-T1-GE3

Name: SI2312CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2312CDS-T1-GE3
Price: 1.06 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2312CDS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2312CDS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 0.0318ohm; 2.1W; -55 150 deg.C; SMD; SOT23

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SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; 0.0318ohm; 2.1W; -55 150 deg.C; SMD; SOT23

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SI2312CDS-T1-GE3详情

技术参数

Vishay SI2312CDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

3
质量

1.437803 g
Case/Package

SOT-23-3
Fall Time

8 ns
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Schedule B

8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Turn Off Delay Time

31 ns
电阻

31.8 MΩ
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

2.1 W
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

2.1 W
接通延迟时间

8 ns
上升时间

17 ns
漏源电压 (Vdss)

20 V
连续放电电流(ID)

6 A
阈值电压

1 V
栅极至源极电压(Vgs)

8 V
漏源击穿电压

20 V
输入电容

865 pF
最大结点温度（Tj）

150 °C
漏源电阻

26.5 mΩ
最大rds

31.8 mΩ
高度

1.12 mm
辐射硬化

无
达到SVHC

无SVHC
无铅

无铅

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SI2312CDS-T1-GE3拓展信息

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