SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥3.652688

  • 10

    ¥3.445932

  • 100

    ¥3.250876

  • 500

    ¥3.066867

  • 1000

    ¥2.893268

Vishay Intertechnologies SI4848DY-T1-E3

  • 收藏
  • 对比

型号

SI4848DY-T1-E3

utmel 编号

2668-SI4848DY-T1-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
SI4848DY-T1-E3
SI4848DY-T1-E3 Vishay Intertechnologies Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

单价: $

合计:

库存:5000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

SI4848DY-T1-E3详情

Vishay Intertechnologies SI4848DY-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    17 Weeks, 1 Day

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of module

    diode-thyristor

  • Semiconductor structure

    double series

  • Max. off-state voltage

    1.8kV

  • Version

    A59

  • Case

    SEMIPACK1

  • Max. forward voltage

    1.65V

  • Max. forward impulse current

    2kA

  • Gate current

    150mA

  • Electrical mounting

    screw

  • Max. load current

    190A

  • Mechanical mounting

    screw

  • Gross weight

    120 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, SOP-8

  • Drain Current-Max (ID)

    2.7 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.085 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    150 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    3 W

  • Load current

    95A

  • 饱和电流

    1

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SI4848DY-T1-E3.

SI4848DY-T1-E3拓展信息

SI4160DY-T1-GE3
SI4160DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRF540PBF
IRF540PBF

Vishay Intertechnologies

SQJ418EP-T1_GE3
SQJ418EP-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

IRL640
IRL640

Vishay Intertechnologies

SIR626DP-T1-RE3
SIR626DP-T1-RE3

Vishay Intertechnologies

SI2318DS-T1-GE3
SI2318DS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SQ1470AEH-T1_GE3
SQ1470AEH-T1_GE3

Vishay Intertechnologies

SIUD403ED-T1-GE3
SIUD403ED-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF

Vishay Intertechnologies

IRF740PBF
IRF740PBF

Vishay Intertechnologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z