注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.652688
10
¥3.445932
100
¥3.250876
500
¥3.066867
1000
¥2.893268
Vishay Intertechnologies SI4848DY-T1-E3
- 收藏
- 对比
SI4848DY-T1-E3
2668-SI4848DY-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI4848DY-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI4848DY-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks, 1 Day
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of module
diode-thyristor
Semiconductor structure
double series
Max. off-state voltage
1.8kV
Version
A59
Case
SEMIPACK1
Max. forward voltage
1.65V
Max. forward impulse current
2kA
Gate current
150mA
Electrical mounting
screw
Max. load current
190A
Mechanical mounting
screw
Gross weight
120 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
2.7 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.085 Ω
DS 击穿电压-最小值
150 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3 W
Load current
95A
饱和电流
1
SI4848DY-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。