SI2367DS-T1-GE3详情
Vishay SI2367DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
1.437803 g
Case/Package
SOT-23-3
Fall Time
9 ns
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Schedule B
8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080
Turn Off Delay Time
35 ns
电阻
66 MΩ
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1.7 W
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
960 mW
接通延迟时间
8 ns
上升时间
9 ns
漏源电压 (Vdss)
-20 V
阈值电压
-400 mV
栅极至源极电压(Vgs)
8 V
输入电容
561 pF
漏源电阻
66 mΩ
最大rds
66 mΩ
辐射硬化
无
达到SVHC
Unknown
无铅
无铅
SI2367DS-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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