Vishay SI4493DY-T1-GE3

底架

表面贴装

Case/Package

SOIC

Fall Time

140 ns

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

220 ns

电阻

7.75 mΩ

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

1.5 W

元素配置

Single

接通延迟时间

110 ns

漏源电压 (Vdss)

20 V

连续放电电流(ID)

10 A

栅极至源极电压(Vgs)

12 V

漏源击穿电压

-20 V

漏源电阻

7.75 mΩ

最大rds

7.75 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅