SIB419DK-T1-GE3详情
Vishay SIB419DK-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
6
质量
95.991485 mg
Case/Package
SC
Fall Time
9 ns
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
28 ns
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
2.45 W
通道数量
1
功率耗散
2.45 W
接通延迟时间
16 ns
上升时间
42 ns
连续放电电流(ID)
9 A
阈值电压
-1 V
栅极至源极电压(Vgs)
8 V
漏源击穿电压
-12 V
双电源电压
12 V
输入电容
562 pF
漏源电阻
89 mΩ
最大rds
60 mΩ
栅源电压
-1 V
高度
750 µm
长度
1.6 mm
宽度
1.6 mm
达到SVHC
Unknown
SIB419DK-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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