IRF520PBF
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Vishay Intertechnologies IRF520PBF

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型号

IRF520PBF

utmel 编号

2668-IRF520PBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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IRF520PBF
IRF520PBF Vishay Intertechnologies Description: Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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IRF520PBF详情

Vishay Intertechnologies IRF520PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 表面安装

    NO

  • Housing material

    ABS UL94-V0

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Relative humidity

    35...85 %

  • Dielectric strength

    2500 (50 Hz / 1 min.) V

  • Operating ambient temperature

    -40...+80 °C

  • Load voltage

    5...200 V

  • Transport package size/quantity

    42.5*35.5*15/50

  • Gross weight

    86.00

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    9.2 A

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Single-phase solid state relay series SSR

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    62 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • Insulation resistance

    >100 (at Uinsp.dc=500V) MOhm

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • Control mode

    with zero crossing control

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.27 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    37 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    200 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    40 W

  • Load current

    50 A

  • Control voltage

    3...32 (DC) V

  • 高度

    22.5 mm

  • 宽度

    45 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies IRF520PBF.

IRF520PBF拓展信息

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