注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.160645
10
¥2.038344
100
¥1.922966
500
¥1.814117
1000
¥1.711434
Vishay Intertechnologies IRF730PBF
- 收藏
- 对比
IRF730PBF
2668-IRF730PBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF730PBF详情
Vishay Intertechnologies IRF730PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
NO
材料
aluminium
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
grilled
Colour
black
Material finishing
anodized
Mounting
screw
Plate thickness
3.5mm
Gross weight
700 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
5.5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
雪崩 额定
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
22 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
290 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
74 W
第二个连接器加载的位置数
for inverters
饱和电流
1
长度
59mm
宽度
62.5mm
高度
20mm
IRF730PBF拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。