注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.739939
10
¥5.415039
100
¥5.108522
500
¥4.819366
1000
¥4.546569
Vishay Intertechnologies IRFB9N60APBF
- 收藏
- 对比
IRFB9N60APBF
2668-IRFB9N60APBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFB9N60APBF详情
Vishay Intertechnologies IRFB9N60APBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
9.2 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.75 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
37 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
290 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
170 W
IRFB9N60APBF拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。