Vishay Intertechnologies IRFD9110
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IRFD9110
2668-IRFD9110
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HVMDIP-4
1最小包装量--
IRFD9110详情
Vishay Intertechnologies IRFD9110重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
DIP
Package Description
HVMDIP-4
Drain Current-Max (ID)
0.7 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDIP-T4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
5.6 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
140 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.3 W
IRFD9110拓展信息
Vishay Intertechnologies
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