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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.037598
10
¥7.582636
100
¥7.15343
500
¥6.748526
1000
¥6.366532
Vishay Intertechnologies IRFP9140PBF
- 收藏
- 对比
IRFP9140PBF
2668-IRFP9140PBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC,
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFP9140PBF详情
Vishay Intertechnologies IRFP9140PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks, 1 Day
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Drain Current-Max (ID)
21 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
有
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247AC
漏极-源极导通最大电阻
0.2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
84 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
960 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
180 W
IRFP9140PBF拓展信息
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