注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.728516
10
¥1.630673
100
¥1.538371
500
¥1.451293
1000
¥1.36915
Vishay Intertechnologies IRFR224TRPBF
- 收藏
- 对比
IRFR224TRPBF
2668-IRFR224TRPBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRFR224TRPBF详情
Vishay Intertechnologies IRFR224TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
11 Weeks, 3 Days
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
TO-252AA
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
3.8 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
1.1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
15 A
DS 击穿电压-最小值
250 V
雪崩能量等级(Eas)
130 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
42 W
饱和电流
1
IRFR224TRPBF拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。