Vishay Intertechnologies IRFU1N60APBF

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

Collector current

200A

Case

MiniSKiiP® 2

Electrical mounting

Press-Fit

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

400A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

55 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Drain Current-Max (ID)

1.4 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

拓扑

IGBT half-bridge,

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251AA

漏极-源极导通最大电阻

7 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5.6 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

93 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

36 W

第二个连接器加载的位置数

for UPS,