Vishay Intertechnologies IRL630
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IRL630
2668-IRL630
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
1最小包装量--
IRL630详情
Vishay Intertechnologies IRL630重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)
9 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.4 Ω
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
74 W
IRL630拓展信息
Vishay Intertechnologies
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