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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.303709
10
¥3.116707
100
¥2.940289
500
¥2.773858
1000
¥2.616847
Vishay Intertechnologies IRF740PBF
- 收藏
- 对比
IRF740PBF
2668-IRF740PBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF740PBF详情
Vishay Intertechnologies IRF740PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks, 3 Days
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of module
diode-thyristor
Semiconductor structure
double series
Max. off-state voltage
1.6kV
Version
A22
Case
SEMIPACK1
Max. forward voltage
1.75V
Max. forward impulse current
2.25kA
Gate current
100mA
Electrical mounting
screw
Max. load current
235A
Mechanical mounting
screw
Gross weight
120 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
10 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.55 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
雪崩能量等级(Eas)
520 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
Load current
119A
IRF740PBF拓展信息
Vishay Intertechnologies
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