SI1013R-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI1013R-T1-GE3

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型号

SI1013R-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI1013R-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-75A, 3 PIN

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SI1013R-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-75A, 3 PIN

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SI1013R-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI1013R-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    生命周期结束

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    SC-75A, 3 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    0.35 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    0603

  • Case - mm

    1608

  • Capacitors series

    KGQ

  • Gross weight

    0.04

  • Transport packaging size/quantity

    29*21*28/5000

  • Type of fuse

    Self-recovering fuse series SMD1206

  • Maximum voltage

    30 V

  • Interrupt current

    1.0 A

  • Holding current

    0.5 A

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • 容差

    ±2%

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 附加功能

    低阈值

  • 电容量

    33pF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    1.5-1.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 电介质

    C0G (NP0)

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • Response time

    0.1 s

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -40...+85 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1.2 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.175 W

  • 饱和电流

    1

  • Operating voltage

    100V

  • 高度

    0.35-0.85 mm

  • 宽度

    3.0-3.5 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI1013R-T1-GE3.

SI1013R-T1-GE3拓展信息

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