Vishay Intertechnologies SI1013R-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI1013R-T1-GE3
2668-SI1013R-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-75A, 3 PIN
1最小包装量--
SI1013R-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI1013R-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SC-75A, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
0.35 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
0603
Case - mm
1608
Capacitors series
KGQ
Gross weight
0.04
Transport packaging size/quantity
29*21*28/5000
Type of fuse
Self-recovering fuse series SMD1206
Maximum voltage
30 V
Interrupt current
1.0 A
Holding current
0.5 A
Operating temperature
-55...125°C
容差
±2%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
低阈值
电容量
33pF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
1.5-1.8 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
电介质
C0G (NP0)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
Response time
0.1 s
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
Operating temperature range
-40...+85 °C
漏极-源极导通最大电阻
1.2 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.175 W
饱和电流
1
Operating voltage
100V
高度
0.35-0.85 mm
宽度
3.0-3.5 mm
SI1013R-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。