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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.791416
10
¥0.746619
100
¥0.704359
500
¥0.664488
1000
¥0.626878
Vishay Intertechnologies SI1302DL-T1-GE3
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- 对比
SI1302DL-T1-GE3
2668-SI1302DL-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI1302DL-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI1302DL-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of cable accessories
cable chain
Manufacturer series
MEDIUM
Bending radius
150mm
Version
frames openable from inner radius
External height
43mm
External width
74mm
Internal height
30mm
Internal width
45mm
Colour
black
Gross weight
1350 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SC-70, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
0.6 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.48 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.28 W
饱和电流
1
长度
1m
SI1302DL-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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