SI2333DS-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI2333DS-T1-GE3

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型号

SI2333DS-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI2333DS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN

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SI2333DS-T1-GE3
SI2333DS-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN

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SI2333DS-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI2333DS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Gross Weight

    17.50

  • Transportation package size/quantity

    36*27*26/500

  • Noal Resistance

    250 kOhmin

  • Wear resistance

    10000 cycles

  • Allowable deviation

    20 %

  • Nominal power dissipation

    2 W

  • Maximum operating voltage

    500 V

  • Noise level

    47 mV

  • Type of capacitor

    ceramic

  • Kind of capacitor

    MLCC

  • Capacitance tolerance

    ±0.05pF

  • Mounting

    SMD

  • Case - inch

    0402

  • Case - mm

    1005

  • Capacitors series

    GCM

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    TO-236, SOT-23, 3 PIN

  • Drain Current-Max (ID)

    4.1 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Operating temperature

    -55...125°C

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    variable resistor (potentiometer) series WH138-4

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 电容量

    0.12pF

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 电介质

    C0G (NP0)

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • Insulation resistance

    ≥100 MOhm

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -10…+100 °C

  • JEDEC-95代码

    TO-236AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.032 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    12 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Rotation angle

    300 ±10 °

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    300 pF

  • 饱和电流

    1

  • 特征

    carbon resistive element, shaft type - KC

  • Operating voltage

    100V

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI2333DS-T1-GE3.

SI2333DS-T1-GE3拓展信息

SQ2319ADS-T1_GE3
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Vishay Intertechnologies

SIHG22N60E-GE3
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SI4866DY-T1-E3
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SIHG33N60E-GE3
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