Vishay Intertechnologies SI3417DV-T1-GE3
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SI3417DV-T1-GE3
2668-SI3417DV-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-193C, TSOP-6
1最小包装量--
SI3417DV-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI3417DV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
YES
材料
polyolefin
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Shrinkage temperature
100 °C
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
MO-193C, TSOP-6
Drain Current-Max (ID)
8 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Diameter after shrinkage
40 mm
Diameter before shrinkage
120 mm
Transport packaging size/quantity
102*20*20/20
Gross weight
645.00
包装
supplied in packs in multiples of 1.0 m
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Heat shrinkable tube with adhesive layer
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
颜色
black
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
Operating temperature range
-55…+125 °C
JEDEC-95代码
MO-193AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0252 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Shrinkage ratio
3 : 1
饱和电流
1
Operating voltage
≤1500 V
长度
1000 mm
SI3417DV-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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