SI3493BDV-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI3493BDV-T1-GE3

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型号

SI3493BDV-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI3493BDV-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6

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SI3493BDV-T1-GE3
SI3493BDV-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6

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SI3493BDV-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI3493BDV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • Contact plating

    gold-plated

  • Number of pins

    24

  • 终端数量

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6

  • Drain Current-Max (ID)

    8 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Type of connector

    pin strips

  • Connector

    socket

  • Kind of connector

    female

  • Spatial orientation

    straight

  • Contacts pitch

    2.54mm

  • Electrical mounting

    THT

  • Connector pinout layout

    1x24

  • Gross weight

    2.43 g

  • Operating temperature

    -40...163°C

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • Current rating

    2A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0275 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    2.97 W

  • Rated voltage

    150V

  • 个人资料

    beryllium copper

  • 饱和电流

    1

  • Plating thickness

    0.75µm

  • Flammability rating

    UL94V-0

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI3493BDV-T1-GE3.

SI3493BDV-T1-GE3拓展信息

SI4160DY-T1-GE3
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IRF540PBF
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SI4848DY-T1-E3
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