Vishay Intertechnologies SI3493DDV-T1-GE3
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SI3493DDV-T1-GE3
2668-SI3493DDV-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
SI3493DDV-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI3493DDV-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks, 4 Days
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of cable accessories
cable chain
Bending radius
75mm
Version
frames openable from inner radius
External height
50mm
External width
76.5mm
Internal height
35mm
Internal width
60mm
Gross weight
1160 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TSOP-6
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Drain Current-Max (ID)
8 A
Date Of Intro
2017-03-22
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.024 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
长度
1040mm
SI3493DDV-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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