SI4599DY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies SI4599DY-T1-GE3

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型号

SI4599DY-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI4599DY-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

Horizontal, 6 PC Pin

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SI4599DY-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Small Signal Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SI4599DY-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI4599DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    Horizontal, 6 PC Pin

  • 材料

    fiberglass laminate

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    2

  • Gross Weight

    0.05

  • Transport packaging size/quantity

    62*27.5*22/1000

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

  • Drain Current-Max (ID)

    6.8 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • 系列

    RT

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -40°C ~ 100°C

  • 尺寸/尺寸

    2.441" Dia (62.00mm)

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Insulating washer

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 审批机构

    UR

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 过滤器类型

    电力线

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL AND P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    MS-012AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0355 Ω

  • 行数

    3

  • DS 击穿电压-最小值

    40 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大额定电流

    32A

  • 最大耗散功率(Abs)

    3.1 W

  • 隔离电压

    600V

  • 电感@频率

    10.1 mH @ 100 kHz

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    H - 0.5 mm

  • 直径

    inner (d) - 2.8; outer (D) - 8 mm

  • 高度(最大)

    1.496" (38.00mm)

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI4599DY-T1-GE3.

SI4599DY-T1-GE3拓展信息

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