Vishay Intertechnologies SI4946BEY-T1-E3
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SI4946BEY-T1-E3
2668-SI4946BEY-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 60V, 0.041ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, MS-012, SOIC, SOP-8
1最小包装量--
SI4946BEY-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI4946BEY-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks, 4 Days
表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
MS-012, SOIC, SOP-8
Drain Current-Max (ID)
6.5 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
55 ns
Turn-on Time-Max (ton)
35 ns
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
round
Colour
aluminium
Material finishing
raw
Mounting
for back plate
Internal diameter
8mm
Gross weight
700 g
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.041 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
7.2 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.7 W
第二个连接器加载的位置数
LED
反馈上限-最大值 (Crss)
44 pF
饱和电流
1
长度
50mm
直径
68.5mm
SI4946BEY-T1-E3拓展信息
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