SI7106DN-T1-E3
SI7106DN-T1-E3

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Vishay Intertechnologies SI7106DN-T1-E3

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型号

SI7106DN-T1-E3

utmel 编号

2668-SI7106DN-T1-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 20V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7106DN-T1-E3
SI7106DN-T1-E3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 20V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

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SI7106DN-T1-E3详情

Vishay Intertechnologies SI7106DN-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 材料

    housing - stainless steel; seal - silicone rubber

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Gross weight

    23.30

  • Transport package size/quantity

    35*30*21/100

  • Purpose

    for pressure equalization in sealed housings and protection from condensation formation

  • Protection class

    IP67

  • Application area

    electrical, lighting, photoelectric, security, automotive and other equipment

  • Air permeability

    not less than 1 l/min at 70 mbar pressure

  • Installation hole size

    Φ16.2 mm

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8

  • Drain Current-Max (ID)

    12.5 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    小概要

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Pressure equalization valve M16X1.5, metal

  • 电阻

    hydrostatic pressure - not less than 100 mbar for 30 min

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    C 弯管

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    S-XDSO-C5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • Operating temperature range

    -40…+125 °C

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0062 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    60 A

  • DS 击穿电压-最小值

    20 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    45 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    3.8 W

  • 饱和电流

    1

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SI7106DN-T1-E3.

SI7106DN-T1-E3拓展信息

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