Vishay Intertechnologies SI7112DN-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SI7112DN-T1-GE3
2668-SI7112DN-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
--最小包装量--
SI7112DN-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7112DN-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
0402
Case - mm
1005
Gross weight
0.03 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8
Drain Current-Max (ID)
11.3 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
容差
±20%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电容量
1µF
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-XDSO-C5
资历状况
不合格
电介质
X7T
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
3.8 W
饱和电流
1
Operating voltage
4V
SI7112DN-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。