Vishay Intertechnologies SUP40012EL-GE3
- 收藏
- 对比
SUP40012EL-GE3
2668-SUP40012EL-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: Power Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
SUP40012EL-GE3详情
Vishay Intertechnologies SUP40012EL-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
,
Date Of Intro
2018-11-13
Drain Current-Max (ID)
150 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)
166 ns
Turn-on Time-Max (ton)
74 ns
Gross weight
0.21
Transport packaging size/quantity
39*19*20.5/5000
Mounting method
SMD
Case material
ceramic
Operating temperature
-55...+125 °C
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
深度
6.1 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
Fuse type
Fuse link in SMD case 2410
极性/通道类型
N-CHANNEL
Rated current
0.25 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.00179 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
300 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
125 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Rated voltage
125 V
反馈上限-最大值 (Crss)
101 pF
高度
2.6 mm
宽度
2.6 mm
SUP40012EL-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。