Vishay Intertechnologies SQ1922EEH-T1_GE3
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SQ1922EEH-T1_GE3
2668-SQ1922EEH-T1_GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.84A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SC-70, 6 PIN
--最小包装量--
SQ1922EEH-T1_GE3详情
Vishay Intertechnologies SQ1922EEH-T1_GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
15 Weeks
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Drain Current-Max (ID)
0.84 A
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Package Description
SC-70, 6 PIN
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
活跃
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
SQ1922EEH-T1_GE3拓展信息
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